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シリコンデバイス株式会社、超低位相ジッタを実現するマルチギガヘルツ・オシレータ・プラットフォーム「MS1150」取扱開始

シリコンデバイス株式会社(本社:神奈川県横浜市)は、2026年9月10日より、Mixed-Signal Devices(MSD)社製品 「MS1150」をラインナップいたします。MS1150は、超低位相ジッタのデジタル合成発振器(DSO:Digitally Synthesized Oscillator)です。BAW(Bulk Acoustic Wave:バルク音響波)共振器技術と高性能デジタル周波数合成技術を組み合わせ、20 MHz~2,200 MHzの範囲で工場設定された高安定・多GHzクロックを出力します。動作条件を常時監視するAdaptive Intelligence機能と自律型DSPアルゴリズムにより、製造ばらつき、電源電圧、温度変化に対して安定した性能を維持します。

 

【1. 製品概要】

 

MS1150は、BAW(バルク音響波)共振器技術と高性能デジタル周波数合成技術を組み合わせた、超低位相ジッタのデジタル合成発振器(DSO)です。20 MHz~2,200 MHzの広い周波数範囲に対応し、1 ppb未満の高分解能で工場設定が可能。代表的な出力周波数では、20~22 fs(フェムト秒)の超低RMS位相ジッタを実現します。Adaptive Intelligence機能と自律型DSPアルゴリズムにより、製造ばらつき、電源電圧、温度変化などの影響を抑え、高いクロック安定性を維持します。CML、LVDS、LVPECL、HCSLなど多様な差動出力に対応し、最大10 msの高速起動も特長です。1.8 V電源、-40~+85 ℃の産業用温度範囲に対応し、高速シリアル通信、光通信、データセンター、ネットワーク機器など、高品質なクロック信号が求められる用途に適しています。

 

MS1150は、ロサンゼルス・コンベンション・センターで開催された「Optical Fiber Communications Conference and Exhibition(OFC)2026」において紹介され、20フェムト秒のジッターとマルチギガヘルツ性能を実現する(1フェムト秒 = 1秒の1,000兆分の1)最新のデジタル・シンセサイザ型タイミング技術を展示・実演しました。

 

 

 

【2. 製品の特長】

 

■超低位相ジッタ

12 kHz~20 MHzの積分帯域において、代表的な出力周波数で以下のRMS位相ジッタを実現します。

 

出力周波数 RMS位相ジッタ
312.50 MHz 22 fs
491.52 MHz 22 fs
625 MHz 20 fs
1,250 MHz 22 fs

データシート上の代表仕様では、491.52 MHzで22 fs(フェムト秒)、625 MHzで20 fsです。高速シリアル通信、光通信、データセンター機器など、クロック品質がシステム性能に直結する用途に適しています。

 

■広い周波数設定範囲

✓ 20 MHz~2,200 MHzの任意の周波数に工場設定可能

✓ ppb未満の分解能で周波数設定可能

✓ 周波数安定度:±20 ppm

 

■フェムト秒について

単位記号:fs

1フェムト秒 = 10⁻¹⁵秒

つまり、0.000000000000001秒(1秒の1,000兆分の1)です。

1秒 = 1,000,000,000,000,000フェムト秒

時間の単位では、かなり短い時間です。                         

 

単位 秒で表すと
ミリ秒(ms) 10⁻³秒
マイクロ秒(μs) 10⁻⁶秒
ナノ秒(ns) 10⁻⁹秒
ピコ秒(ps) 10⁻¹²秒
フェムト秒(fs) 10⁻¹⁵秒
アト秒(as) 10⁻¹⁸秒

 

フェムト秒レーザーなど、超高速な光・レーザー技術でよく使われます。

 

 

【3. 製品仕様】

 

✓ 工場設定対応

*20 MHz~2,200 MHzの任意の周波数に設定可能

✓ 周波数範囲:20~2,000 MHz

✓ 差動出力:CML、LVDS、LVPECL、LVDS-EXT、HCSL

✓超低RMS位相ジッタ(積分帯域:12 kHz~20 MHz)

*312.50 MHz:22 fs

*491.52 MHz:22 fs

*625 MHz:20 fs

*1,250 MHz:22 fs

✓ 総合周波数安定度:±20 ppm

✓ 出力イネーブル/ディセーブル機能

✓ 起動時間:10 ms未満

✓ アクティビティディップ/マイクロジャンプなし

✓ パッケージ:2.5 × 2.0 mmまたは2.0 × 1.6 mm、6ピンLGA

✓ 電源電圧:1.8 V(内部レギュレータ搭載)

✓ 高い電源ノイズ耐性

✓ 動作温度範囲

*産業用:-40~+85℃

*拡張温度範囲:-40~+105℃

*保存温度範囲:-55~+150℃

✓ ESD耐量

*HBM:2,000 V

*CDM:500 V

✓ 鉛フリー/RoHS対応

 

 

【4. 想定用途】

 

MS1150は、低位相ジッタと高周波クロックが要求される下記の用途に適しています。

 

□   通信・ネットワーク機器

光トランシーバおよび光モジュール

ルーター

ネットワークスイッチ

光イーサネット機器

10G/40G/100G光イーサネットシステム

 

□   高速光通信・通信インフラ

100G/200G/400G/800G OTN

コヒーレント光通信

112G/224G/448G PAM4クロッキング

 

□   データセンター・コンピューティング機器

ストレージ装置

サーバー

NIC(ネットワークインターフェースカード)

ハードウェアアクセラレータ

高速データ処理装置

 

□   放送・映像機器

3G~24G SDI対応の放送映像機器

高速デジタル映像伝送装置

放送用ルーターおよび映像インフラ機器

 

□   計測・評価機器

高周波信号発生器

通信評価装置

クロックジッタ評価装置

高速インターフェース試験装置

 

 

要約すると、MS1150は、20 MHz~2,200 MHzの周波数範囲、多様な差動出力、超低位相ジッタ、広い温度範囲を備えた、高速通信・データ処理向けの小型クロック発振器です

 

 

 

【5. Mixed-Signal Devices(MSD)社について】

 

Mixed Signal Devices(MSD)は、米国カリフォルニア州アーバインに本社を置く、高精度タイミング技術とRF・レーダー技術を手掛けるファブレス半導体メーカーです。

独自のオールデジタルCMOS技術を採用し、最大2GHzの高速動作と20フェムト秒以下の超低ジッターを実現。AIサーバーやデータセンター、5G通信など、高速・大容量化するシステムに必要な正確なクロック(タイミング)制御を提供しています。

また、電圧や温度の変化に強く、-40~+105℃ の幅広い温度範囲で安定して動作。プログラマブルで柔軟性が高く、AIインフラ、5G・通信、自動車・ADAS、光通信、レーダー、ロボティクスなど幅広い分野に対応しています。

「高速・低ジッター・高安定性」を強みとし、次世代のAI・通信・センシングシステムを支える半導体技術を提供する企業です。

 

 

 

【シリコンデバイス株式会社 - 未来を映し、技術をつなぐ。】

 

シリコンデバイス株式会社は、半導体・電子部品・光学製品を取り扱う専門商社として、世界各国のユニークなASSP製品や先端デバイスを日本市場に提供しています。

特に、AIロボット向け産業用カメラモジュールや画像処理技術に強みを持ち、CMOSカメラ、レンズ、AIカメラ、Network DVR、映像圧縮モジュール、LCDパネル、Display LSIなど、幅広い製品を取り扱っています。

また、海外の先端半導体メーカーと連携し、高精度タイミング、超低ジッタークロック、RF・レーダーなどの先端技術を展開。AI・データセンター、5G・通信、光通信、自動車・ADAS、ロボティクス、センシングなど、次世代システムの開発を支援しています。

製品販売にとどまらず、用途や要求仕様に応じた製品提案・技術支援を行い、お客様の製品開発・技術革新に貢献しています。さらに、グリーン調達を推進し、RoHS対応製品の提供を通じて、環境に配慮した製品・サービスの実現にも取り組んでいます。

 

 

本社:〒225-0015 横浜市青葉区荏田北3-1-2 向山ビル3F

代表者:代表取締役 齋藤篤彦

設立:1994年6月15日

資本金:30,000,000円

TEL:045-910-0180 FAX:045-910-0188

URL:http://www.silicondevice.com/

 

【本件に関するお問い合わせ先】
企業名:シリコンデバイス株式会社
TEL:045-910-0810
Email:sales@silicondevice.com



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企業情報

企業名 シリコンデバイス株式会社
代表者名 齋藤篤彦
業種 商社・流通業

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